本文摘要:硅材料和闪烁半导体材料的融合将来将协助开发A*STARDataStorage研究所的DorisKeh-TingNg和同事共同研究的新微米级激光。

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硅材料和闪烁半导体材料的融合将来将协助开发A*STARDataStorage研究所的DorisKeh-TingNg和同事共同研究的新微米级激光。硅材料彻底改变了电气设备的生产形态。这个非常丰富的半导体,容易加工成晶体管等微小的组件,其中使用的方法可以扩展到工业生产水平,由此,数千万的部件构筑在一个芯片上,可以开展生产。

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电子工程师需要进一步扩大这些集成电路的功能,创建、销毁和检测光。这些光电元件可以降低数字信息的处理速度,可以实现条形码扫描仪等微米级的激光。

但是,存在硅材料不是有效的光发生器的问题。Ng的团队设计制作了融合铟镓砷(InGaAsP )硅和可闪烁的半导体材料的激光器。

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我们的研究结果表明,构建硅系的高效灵活的有源光电子器件的构建方法,即可以充分加厚III-V族的半导体硅层,Ng说。任何激光结构中最重要的考虑之一是光的对系,即结构内捕捉光的能力,更进一步驱动光的产生。传统的激光是用配置在光产生区域任一侧的镜子构建的。

无视。Ng和团队被用于圆柱形几何设备。这不会迫使设备的墙壁捕捉产生的一部分光,在气缸内传播。

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这被称为回声画廊模式。因为圆顶大教堂声波般的圆形房间不会再次产生某种程度的效果。这个团队最初用于硅基板,他们堆积了薄的氧化硅。

具备光学活性的InGaAsP薄膜只有210纳米薄,分别生产,然后氧化硅变硬。然后,这个团队用几种材料转录,制成了直径为2微米或3微米的缸。3微米器件发射的激光波长为1519纳米,这与商业光通信系统中使用的波长非常相似。该装置具有独特的功能,后壁模式延伸到硅和InGaAsP区域。

InGaAsP取得光的比例,硅被动领先光。下一步我想把这些想法应用到室温设备上,Ng说。更高温下的作业人员必须调整激光器的设计和生产。

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